Предложен метод повышения избирательности фазовзвешенных многоэлементных структур компенсаций искажений в полосе подавления. Представлены характеристики антенных решеток, преобразователей и фильтра на поверхностных акустических волнах.

Предложен конструктивно простой метод повышения избирательности однородных периодических (многоэлементных) структур введением элементов, компенсирующих отклик в полосе подавления. Представлены характеристики преобразователей и фильтров на поверхностных акустических волнах.

Предложены модифицированные функции Чебышева с уменьшенным отклонением от нуля. Приведены характеристики антенных решеток и фильтров на поверхностных акустических волнах, рассчитанных с учетом модификации. Показана целесообразность совместного внутреннего и краевого взвешиваний при формировании характеристик структур.

Рассмотрены физико-технические особенности фотонных кристаллов (ФК). Приведен обзор конструкций ФК, а также устройств на их основе для радио- и оптического диапазонов. Радиочастотные ФК обеспечивают фильтрацию сигналов, формирование диаграмм направленности антенн, уменьшение искажений в микрополосковых линиях. Описаны оптические устройства на основе ФК - миниатюрные расщепители, волноводы, переключатели, лазеры и светодиоды, фильтры, мультиплексоры, волоконные световоды, элементы оптических компьютеров.

Physics and technical principles of photonic crystals (PC) are presented. Designs and characteristics of PC devices on the base of PC for radio and optic ranges are given. Radiofrequency PCs are used for signal filtering, antenna directivity diagram forming, crosstalk in a microstrip line reducing. Optic devices on the base of PC - miniature splitters, waveguides, switches, lasers and optic diodes, filters, multiplexers, crystal fibers, elements of optic computers.

Рассмотрено использование модели линии передачи для анализа типичных барьерных структур наноэлектроники. Получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик двух- и однобарьерных структур с резонансным туннелированием электронов. Рассмотрены задачи с дельта-функциональным потенциалом. Приведены характеристики, иллюстрирующие эффективность такого подхода.

На базі моделі лінії передачі одержано аналітичні вирази для резонансних параметрів і характеристик типових бар'єрних структур наноелектроніки. Наведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу.

Analytical expressions for resonant parametres and characteristics of typical barrier nanoelectronic structures have been received on the basis of the transmission line model. Characteristics illustrating the efficiency of such approach are presented in the article.

Рассмотрена взаимосвязь частотно-временных и частотно-пространственных характеристик встречно-штыревых преобразователей поверхностных акустических волн. Предложен метод формирования избирательных свойств преобразователей фильтрацией частотно-пространственного спектра - частотно-пространственной аподизацией. Рассмотрены модели такой аподизации на основе пространственного спектра волн, а также с учетом дифракции в параболически анизотропной среде и представлены характеристики преобразователей.

Предложены структуры встречно-штыревых преобразователей поверхностных акустических волн для формирования заданных диаграмм излучения. Показана аналогия и выполнено сравнение частотно-пространственной и фазовой аподизации. Предложены преобразователи с компенсацией искажений частотных характеристик, представлены экспериментальные характеристики фильтров.

Рассмотрены матричная модель и модель неоднородной линии передачи для аподизованной полупроводниковой сверхрешетки. Показана возможность краевой амплитудной и фазовой аподизации сверхрешеток и фотонных кристаллов. Представлены характеристики аподизованных сверхрешеток и фотонных кристаллов.

Індекс рубрикатора НБУВ: З845.7

Рубрики:

Хвилевідні лінії передачі. Хвилеводи та об'ємні резонатори

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены универсальные особенности и получены аналитические выражения для входных импедансных характеристик типичных волновых барьерных структур. Приведены зависимости входного импеданса от энергии для квантово-механических структур и частоты - для электромагнитных и акустических структур. Найдены дополнительные к известным условия резонансного прохождения и резонансной локализации волн в барьерных структурах.

Предложена реализация квазисосредоточенных реактивных элементов электромагнитнокристаллическими (ЭК) неоднородностями. Выполнено сравнение характеристик ЭК-неоднородностей и традиционных микрополосковых структур, иллюстрирующее существенное увеличение (в 1,5 - 4 раза) значений реактивностей ЭК-неоднородностями. Моделирование выполнено в программном пакете CST Microwave Studio. Приведены экспериментальные характеристики для предложенной и традиционной квазисосредоточенных индуктивностей. Проанализирована погрешность параметра квазисосредоточенного элемента и показана возможность ее минимизации.

Предложены микрополосковые фильтры нижних частот (ФНЧ) на основе трехмерных электромагнитнокристаллических неоднородностей (ЭКН). Выполнено сравнение расчетных амплитудно-частотных характеристик (АЧХ) квазисосредоточенных реактивных элементов на основе традиционных структур и ЭКН. АЧХ квазисосредоточенных реактивных элементов на основе ЭКН значительно ближе к АЧХ сосредоточенных элементов. Частота первого минимума АЧХ ФНЧ на основе ЭКН в три раза превышает аналогичную частоту на основе традиционных структур. Предложены совмещенные ЭКН, содержащие индуктивный и емкостный элементы. Приведены структуры ФНЧ на основе одиночных и совмещенных ЭКН. Приведены расчетные и экспериментальные параметры и АЧХ фильтров, иллюстрирующие значительное уменьшение размеров и улучшение характеристик в полосе подавления по сравнению с фильтром традиционной структуры. Характеристики рассчитаны трехмерным электромагнитным моделированием в программном пакете CST Microwave Studio.